기초 반도체 소자 이론 : Bipolar Junction Transistor
도체에 열이 가해지면 전자가 방출되는 열전 효과를 이용하여, 2극 진공관은 단방향으로 전류를 흘려줄 수 있었다. 1906년 Lee de Forest 는 2극진공관의 중간에 하나의 grid 라는 전극을 추가하여, Vin 의 작은 변화에도 Cathode 에서 Anode 로 흐르는 전자의 양을 크게 제한할 수 있었다. 즉, 작은 전압의 변화로 출력이 크게 변하는 소자의 최초 발명이였다. 1947 년 벨 연구소에서 최초의 트랜지스터가 탄생하고, 이후 집적회로 위에 트랜지스터를 집적하는 IC의 개념이 발달하게 되면서 전자공학의 시대가 열린다. BJT 는 초기의 트랜지스터의 형태였고, 현재에도 발진회로, 라디오 통신, 전력 응용분야에 사용되고 있습니다. BJT 는 동작속도가 빠르며,민감도와 전압 증폭 성능이 좋고,..
2023.01.24